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| Product Status | Active |
| Technology | Capacitive Coupling |
| Number of Channels | 1 |
| Voltage - Isolation | - |
| Common Mode Transient Immunity (Min) | 100kV/μs (Max) |
| Propagation Delay tpLH / tpHL (Max) | 110ns, 110ns |
| Pulse Width Distortion (Max) | 25ns |
| Rise / Fall Time (Typ) | 13ns, 13ns |
| Current - Output High, Low | - |
| Current - Peak Output | 1.9A, 2.3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Typ) | - |
| Current - DC Forward (If) (Max) | - |
| Voltage - Output Supply | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Approval Agency | - |
NCD57200DR2G 是由 安森美 制造的 隔離器 - 柵極驅(qū)動(dòng)器 類電子元器件。HALF BRIDGE GATE DRIVER (ISOLATE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Technology: Capacitive Coupling、Number of Channels: 1、Common Mode Transient Immunity (Min): 100kV/μs (Max)、Propagation Delay tpLH / tpHL (Max): 110ns, 110ns、Pulse Width Distortion (Max): 25ns。
NCD57200DR2G 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rise / Fall Time (Typ)（13ns, 13ns）、Current - Peak Output（1.9A, 2.3A）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C (TA)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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