EPC23101ENGRT是意法半導(dǎo)體旗下的全半橋驅(qū)動器 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EPC23101ENGRT現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供EPC23101ENGRT datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Output Configuration | Half Bridge |
| Applications | General Purpose |
| Interface | Logic |
| Load Type | Inductive, Capacitive, Resistive |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) FETs |
| Rds On (Typ) | 3.3mOhm |
| Current - Output / Channel | 65A |
| Current - Peak Output | - |
| Voltage - Supply | 10V ~ 80V |
| Voltage - Load | 10V ~ 80V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Features | Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled |
| Fault Protection | ESD, UVLO |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 14-PowerWFQFN |
| Supplier Device Package | 14-QFN (3.5x5) |
EPC23101ENGRT 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 全半橋驅(qū)動器 類電子元器件。TRANS GAN 100V EPOWER STAGE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: General Purpose、Interface: Logic、Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。
EPC23101ENGRT 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Typ)（3.3mOhm）、Current - Output / Channel（65A）、Voltage - Supply（10V ~ 80V）、Voltage - Load（10V ~ 80V）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者，始終致力于推動電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應(yīng)晶體管，成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。
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