| Product Status | Active |
| Output Configuration | Half Bridge |
| Applications | Synchronous Buck Converters |
| Interface | Logic, PWM |
| Load Type | Inductive, Capacitive |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) FETs |
| Rds On (Typ) | 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS |
| Current - Output / Channel | 12.5A |
| Current - Peak Output | - |
| Voltage - Supply | 11V ~ 13V |
| Voltage - Load | 11V ~ 13V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Features | Bootstrap Circuit |
| Fault Protection | UVLO |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 12-WFLGA |
| Supplier Device Package | 12-LGA (3.85x2.59) |
EPC2152ENGRT 是由 意法半導體 制造的 全半橋驅動器 類電子元器件。IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: Synchronous Buck Converters、Interface: Logic, PWM、Load Type: Inductive, Capacitive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。
EPC2152ENGRT 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Rds On (Typ)（8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS）、Current - Output / Channel（12.5A）、Voltage - Supply（11V ~ 13V）、Voltage - Load（11V ~ 13V）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領域的創新領導者，始終致力于推動電子元器件技術的革新。EPC率先推出了業界首款增強型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應晶體管，成功地將GaN技術應用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實現了數倍的飛躍，為眾多尖端應用領域提供了卓越的解決方案。
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