| Product Status | Obsolete |
| Output Configuration | Half Bridge (3) |
| Applications | General Purpose |
| Interface | Logic |
| Load Type | Inductive, Capacitive |
| Technology | Power MOSFET, IGBT |
| Rds On (Typ) | - |
| Current - Output / Channel | 350mA |
| Current - Peak Output | - |
| Voltage - Supply | 11.5V ~ 20V |
| Voltage - Load | 600V (Max) |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Features | Bootstrap Circuit |
| Fault Protection | Current Limiting, UVLO |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Supplier Device Package | 28-SOP |
BS2130F-GE2 是由 羅姆半導體 制造的 全半橋驅動器 類電子元器件。IC HALF BRIDGE DRVR 350MA 28SOP。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Output Configuration: Half Bridge (3)、Applications: General Purpose、Interface: Logic、Load Type: Inductive, Capacitive、Technology: Power MOSFET, IGBT。
BS2130F-GE2 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Current - Output / Channel（350mA）、Voltage - Supply（11.5V ~ 20V）、Voltage - Load（600V (Max)）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C (TA)）、Features（Bootstrap Circuit） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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