首頁 > 記憶 > 艾思科 > IS61LV12816L-10TL
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Memory Size | 2Mbit |
| Memory Organization | 128K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Access Time | 10 ns |
| Voltage - Supply | 3.135V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
IS61LV12816L-10TL 是由 艾思科 制造的 記憶 類電子元器件。IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Asynchronous、Memory Size: 2Mbit。
IS61LV12816L-10TL 共有 15 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization(128K x 16)、Memory Interface(Parallel)、Write Cycle Time - Word, Page(10ns)、Access Time(10 ns)、Voltage - Supply(3.135V ~ 3.6V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾思科:Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI),中文名“艾思科”,是一家在集成電路設計、開發和市場營銷領域處于領先地位的科技企業。自成立以來,艾思科始終專注于為高速增長的關鍵市場提供高性能的**電子元器件**。其主要產品線圍繞兩大核心領域:**IC芯片**領域的SRAM(靜態隨機存取存儲器)和DRAM(動態隨機存取存儲器)。艾思科的SRAM產品以高速度和低功耗著稱,而其DRAM產品則覆蓋低密度和中等密度范圍,能夠滿足不同客戶的性能和成本需求。
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