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IS66WVH8M8BLL-100B1LI是艾思科旗下的記憶 產品,深圳凌創輝電子有限公司提供IS66WVH8M8BLL-100B1LI現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IS66WVH8M8BLL-100B1LI datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | PSRAM |
| Technology | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Memory Size | 64Mbit |
| Memory Organization | 8M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 100 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 40ns |
| Access Time | 40 ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 24-TBGA |
| Supplier Device Package | 24-TFBGA (6x8) |
IS66WVH8M8BLL-100B1LI 是由 艾思科 制造的 記憶 類電子元器件。IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: PSRAM、Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)、Memory Size: 64Mbit。
IS66WVH8M8BLL-100B1LI 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization(8M x 8)、Memory Interface(Parallel)、Clock Frequency(100 MHz)、Write Cycle Time - Word, Page(40ns)、Access Time(40 ns) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾思科:Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI),中文名“艾思科”,是一家在集成電路設計、開發和市場營銷領域處于領先地位的科技企業。自成立以來,艾思科始終專注于為高速增長的關鍵市場提供高性能的**電子元器件**。其主要產品線圍繞兩大核心領域:**IC芯片**領域的SRAM(靜態隨機存取存儲器)和DRAM(動態隨機存取存儲器)。艾思科的SRAM產品以高速度和低功耗著稱,而其DRAM產品則覆蓋低密度和中等密度范圍,能夠滿足不同客戶的性能和成本需求。
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