IS61WV51216EDBLL-10TLI是艾思科旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供IS61WV51216EDBLL-10TLI現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IS61WV51216EDBLL-10TLI datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Memory Size | 8Mbit |
| Memory Organization | 512K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Access Time | 10 ns |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
IS61WV51216EDBLL-10TLI 是由 艾思科 制造的 記憶 類電子元器件。IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Asynchronous、Memory Size: 8Mbit。
IS61WV51216EDBLL-10TLI 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（512K x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（10ns）、Access Time（10 ns）、Voltage - Supply（2.4V ~ 3.6V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成電路設計、開發和市場營銷領域處于領先地位的科技企業。自成立以來，艾思科始終專注于為高速增長的關鍵市場提供高性能的**電子元器件**。其主要產品線圍繞兩大核心領域：**IC芯片**領域的SRAM（靜態隨機存取存儲器）和DRAM（動態隨機存取存儲器）。艾思科的SRAM產品以高速度和低功耗著稱，而其DRAM產品則覆蓋低密度和中等密度范圍，能夠滿足不同客戶的性能和成本需求。
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