| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR2 |
| Memory Size | 2Gbit |
| Memory Organization | 128M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 400 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 400 ps |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.9V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 84-TFBGA |
| Supplier Device Package | 84-TWBGA (8x12.5) |
IS43DR16128C-25DBLI 是由 艾思科 制造的 記憶 類電子元器件。IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TWBGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR2、Memory Size: 2Gbit。
IS43DR16128C-25DBLI 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（128M x 16）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（400 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（400 ps） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成電路設計、開發和市場營銷領域處于領先地位的科技企業。自成立以來，艾思科始終專注于為高速增長的關鍵市場提供高性能的**電子元器件**。其主要產品線圍繞兩大核心領域：**IC芯片**領域的SRAM（靜態隨機存取存儲器）和DRAM（動態隨機存取存儲器）。艾思科的SRAM產品以高速度和低功耗著稱，而其DRAM產品則覆蓋低密度和中等密度范圍，能夠滿足不同客戶的性能和成本需求。
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