IS61WV51216BLL-10TLI是艾思科旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IS61WV51216BLL-10TLI現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IS61WV51216BLL-10TLI datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Memory Size | 8Mbit |
| Memory Organization | 512K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 10ns |
| Access Time | 10 ns |
| Voltage - Supply | 2.4V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
IS61WV51216BLL-10TLI 是由 艾思科 制造的 記憶 類電子元器件。IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Asynchronous、Memory Size: 8Mbit。
IS61WV51216BLL-10TLI 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（512K x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（10ns）、Access Time（10 ns）、Voltage - Supply（2.4V ~ 3.6V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成電路設(shè)計、開發(fā)和市場營銷領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位的科技企業(yè)。自成立以來，艾思科始終專注于為高速增長的關(guān)鍵市場提供高性能的**電子元器件**。其主要產(chǎn)品線圍繞兩大核心領(lǐng)域：**IC芯片**領(lǐng)域的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。艾思科的SRAM產(chǎn)品以高速度和低功耗著稱，而其DRAM產(chǎn)品則覆蓋低密度和中等密度范圍，能夠滿足不同客戶的性能和成本需求。
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