| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Synchronous, Standard |
| Memory Size | 144Mbit |
| Memory Organization | 4M x 36 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 250 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 119-BGA |
| Supplier Device Package | 119-FPBGA (22x14) |
GS8128436GB-250I 是由 GSI科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC SRAM 144MBIT PAR 119FPBGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Synchronous, Standard、Memory Size: 144Mbit。
GS8128436GB-250I 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（4M x 36）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（250 MHz）、Voltage - Supply（2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V）、Operating Temperature（-40°C ~ 85°C (TA)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 GSI科技：GSI科技（GSI Technology, Inc.）自1995年成立以來，一直致力于成為高性能半導體存儲器解決方案的行業領導者。憑借近三十載的深厚技術積淀與對創新不懈的追求，GSI科技已發展成為全球電子元器件領域不可或缺的重要力量。公司深耕于高性能存儲器這一細分市場，憑借其在**電子元件**領域的專業知識，為全球客戶提供卓越的產品和服務。
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