首頁 > 記憶 > 艾斯普恩科技 > MR4A16BCYS35

| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | RAM |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Memory Size | 16Mbit |
| Memory Organization | 1M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 35ns |
| Access Time | 35 ns |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 54-TSOP2 |
MR4A16BCYS35 是由 艾斯普恩科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC RAM 16MBIT PARALLEL 54TSOP2。該器件的核心參數包括:Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: RAM、Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)、Memory Size: 16Mbit。
MR4A16BCYS35 共有 15 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization(1M x 16)、Memory Interface(Parallel)、Write Cycle Time - Word, Page(35ns)、Access Time(35 ns)、Voltage - Supply(3V ~ 3.6V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾斯普恩科技:艾斯普恩科技(Everspin Technologies, Inc.),總部位于亞利桑那州錢德勒,是全球領先的磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)和自旋電子傳輸MRAM(ST-MRAM)分離式及嵌入式產品的設計、制造和商業化出貨商。作為一家專注于前沿**電子元器件**和**IC芯片**研發的企業,艾斯普恩科技致力于為數據持久性與完整性、低延遲以及安全性至關重要的市場和應用提供創新的存儲解決方案。公司憑借其卓越的**元器件**技術,在全球范圍內享有盛譽,尤其在高性能存儲領域扮演著關鍵角色。
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