| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Memory Size | 4Kbit |
| Memory Organization | 1K x 4 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 250ns |
| Access Time | 250 ns |
| Voltage - Supply | 4.5V ~ 5.5V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 18-DIP |
| Supplier Device Package | 18-DIP |
P2114A5 是由 英特爾 制造的 記憶 類電子元器件。IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18DIP。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Asynchronous、Memory Size: 4Kbit。
P2114A5 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（1K x 4）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（250ns）、Access Time（250 ns）、Voltage - Supply（4.5V ~ 5.5V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 英特爾：英特爾（Intel），全球領先的半導體**元器件**設計與制造公司，以其創新能力和技術實力，賦能全球電子系統設計者，幫助他們在各自市場實現快速、高效的創新、差異化和市場成功。作為一家歷史悠久且極具影響力的**電子元件**品牌，英特爾不斷突破技術邊界，為全球客戶提供高價值的解決方案。
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