GD25WD10CK6IGR是兆易創(chuàng)新旗下的記憶 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供GD25WD10CK6IGR現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供GD25WD10CK6IGR datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR (SLC) |
| Memory Size | 1Mbit |
| Memory Organization | 128K x 8 |
| Memory Interface | SPI - Dual I/O |
| Clock Frequency | 100 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 55μs, 6ms |
| Access Time | 12 ns |
| Voltage - Supply | 1.65V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-USON (1.5x1.5) |
GD25WD10CK6IGR 是由 兆易創(chuàng)新 制造的 記憶 類電子元器件。LINEAR IC。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NOR (SLC)、Memory Size: 1Mbit、Memory Organization: 128K x 8。
GD25WD10CK6IGR 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Interface（SPI - Dual I/O）、Clock Frequency（100 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（55μs, 6ms）、Access Time（12 ns）、Voltage - Supply（1.65V ~ 3.6V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 兆易創(chuàng)新：兆易創(chuàng)新（GigaDevice），一家誕生于2005年硅谷的領先無晶圓廠半導體公司，專注于先進存儲技術和集成電路（IC）解決方案的研發(fā)與創(chuàng)新。自成立以來，兆易創(chuàng)新始終致力于推動電子元器件行業(yè)的發(fā)展，并在2016年成功于上海證券交易所上市，標志著其在中國乃至全球半導體市場的重要地位。作為一家深耕電子元件領域的企業(yè)，兆易創(chuàng)新提供廣泛的高性能Flash存儲器以及32位通用微控制器（MCU）產品。在SPI NOR Flash這一細分市場，兆易創(chuàng)新堪稱行業(yè)先驅，憑借其卓越的技術實力和持續(xù)的創(chuàng)新能力，已成為全球領先者之一，每年出貨量超過10億顆，穩(wěn)居全球前三。
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