GD25LE16E3IGR是兆易創新旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供GD25LE16E3IGR現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供GD25LE16E3IGR datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR (SLC) |
| Memory Size | 16Mbit |
| Memory Organization | 2M x 8 |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O, QPI |
| Clock Frequency | 133 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 60μs, 2.4ms |
| Access Time | 6 ns |
| Voltage - Supply | 1.65V ~ 2V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-XFBGA, WLCSP |
| Supplier Device Package | 8-WLCSP |
GD25LE16E3IGR 是由 兆易創新 制造的 記憶 類電子元器件。LINEAR IC。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NOR (SLC)、Memory Size: 16Mbit、Memory Organization: 2M x 8。
GD25LE16E3IGR 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Interface（SPI - Quad I/O, QPI）、Clock Frequency（133 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（60μs, 2.4ms）、Access Time（6 ns）、Voltage - Supply（1.65V ~ 2V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 兆易創新：兆易創新（GigaDevice），一家誕生于2005年硅谷的領先無晶圓廠半導體公司，專注于先進存儲技術和集成電路（IC）解決方案的研發與創新。自成立以來，兆易創新始終致力于推動電子元器件行業的發展，并在2016年成功于上海證券交易所上市，標志著其在中國乃至全球半導體市場的重要地位。作為一家深耕電子元件領域的企業，兆易創新提供廣泛的高性能Flash存儲器以及32位通用微控制器（MCU）產品。在SPI NOR Flash這一細分市場，兆易創新堪稱行業先驅，憑借其卓越的技術實力和持續的創新能力，已成為全球領先者之一，每年出貨量超過10億顆，穩居全球前三。
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