MR2A16AMYS35R是艾斯普恩科技旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MR2A16AMYS35R現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MR2A16AMYS35R datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | RAM |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Memory Size | 4Mbit |
| Memory Organization | 256K x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 35ns |
| Access Time | 35 ns |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 44-TSOP2 |
MR2A16AMYS35R 是由 艾斯普恩科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: RAM、Technology: MRAM (Magnetoresistive RAM)、Memory Size: 4Mbit。
MR2A16AMYS35R 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（256K x 16）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（35ns）、Access Time（35 ns）、Voltage - Supply（3V ~ 3.6V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 艾斯普恩科技：艾斯普恩科技（Everspin Technologies, Inc.），總部位于亞利桑那州錢德勒，是全球領(lǐng)先的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）和自旋電子傳輸MRAM（ST-MRAM）分離式及嵌入式產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和商業(yè)化出貨商。作為一家專注于前沿**電子元器件**和**IC芯片**研發(fā)的企業(yè)，艾斯普恩科技致力于為數(shù)據(jù)持久性與完整性、低延遲以及安全性至關(guān)重要的市場(chǎng)和應(yīng)用提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)解決方案。公司憑借其卓越的**元器件**技術(shù)，在全球范圍內(nèi)享有盛譽(yù)，尤其在高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域扮演著關(guān)鍵角色。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是艾斯普恩科技代理商，專業(yè)供應(yīng)MR2A16AMYS35R等記憶 產(chǎn)品。如您需要MR2A16AMYS35R的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號(hào)信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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