MT41K2G4RKB-107 C:N是美光科技旗下的記憶 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MT41K2G4RKB-107 C:N現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MT41K2G4RKB-107 C:N datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR3L |
| Memory Size | 8Gbit |
| Memory Organization | 2G x 4 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 20 ns |
| Voltage - Supply | 1.283V ~ 1.45V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 78-TFBGA |
| Supplier Device Package | 78-FBGA (8x10.5) |
MT41K2G4RKB-107 C:N 是由 美光科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR3L、Memory Size: 8Gbit。
MT41K2G4RKB-107 C:N 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（2G x 4）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（933 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（20 ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 美光科技：美光科技（Micron Technology）作為全球領先的**電子元器件**制造商，致力于提供創(chuàng)新性的內存和存儲解決方案，驅動著人工智能、物聯(lián)網、自動駕駛汽車、個性化醫(yī)療乃至于太空探索等當前最具影響力且顛覆性的技術突破。憑借超過40年的行業(yè)深耕，美光科技在**電子元件**領域積累了深厚的專業(yè)知識和技術實力，其核心競爭力在于不斷探索更快速、更高效的數據收集、存儲和管理方式，從而深刻地革新和提升全球溝通、學習與進步的模式。
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