MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR是美光科技旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND (TLC) |
| Memory Size | 512Gbit |
| Memory Organization | 64G x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 333 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 2.5V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 132-VBGA |
| Supplier Device Package | 132-VBGA (12x18) |
MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR 是由 美光科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NAND (TLC)、Memory Size: 512Gbit。
MT29F512G08EBHAFJ4-3R:A TR 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（64G x 8）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（333 MHz）、Voltage - Supply（2.5V ~ 3.6V）、Operating Temperature（0°C ~ 70°C (TA)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 美光科技：美光科技（Micron Technology）作為全球領先的**電子元器件**制造商，致力于提供創新性的內存和存儲解決方案，驅動著人工智能、物聯網、自動駕駛汽車、個性化醫療乃至于太空探索等當前最具影響力且顛覆性的技術突破。憑借超過40年的行業深耕，美光科技在**電子元件**領域積累了深厚的專業知識和技術實力，其核心競爭力在于不斷探索更快速、更高效的數據收集、存儲和管理方式，從而深刻地革新和提升全球溝通、學習與進步的模式。
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