MT40A512M8SA-062E:G是美光科技旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供MT40A512M8SA-062E:G現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MT40A512M8SA-062E:G datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR4 |
| Memory Size | 4Gbit |
| Memory Organization | 512M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 19 ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 78-TFBGA |
| Supplier Device Package | 78-FBGA (7.5x11) |
MT40A512M8SA-062E:G 是由 美光科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR4、Memory Size: 4Gbit。
MT40A512M8SA-062E:G 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（512M x 8）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（1.6 GHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（19 ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
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