MT40A2G8NEA-062E:J TR是美光科技旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MT40A2G8NEA-062E:J TR現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MT40A2G8NEA-062E:J TR datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR4 |
| Memory Size | 16Gbit |
| Memory Organization | 2G x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 19 ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 78-TFBGA |
| Supplier Device Package | 78-FBGA (7.5x11) |
MT40A2G8NEA-062E:J TR 是由 美光科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR4、Memory Size: 16Gbit。
MT40A2G8NEA-062E:J TR 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（2G x 8）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（1.6 GHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（19 ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。
關(guān)于 美光科技：美光科技（Micron Technology）作為全球領(lǐng)先的**電子元器件**制造商，致力于提供創(chuàng)新性的內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案，驅(qū)動(dòng)著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛汽車、個(gè)性化醫(yī)療乃至于太空探索等當(dāng)前最具影響力且顛覆性的技術(shù)突破。憑借超過(guò)40年的行業(yè)深耕，美光科技在**電子元件**領(lǐng)域積累了深厚的專業(yè)知識(shí)和技術(shù)實(shí)力，其核心競(jìng)爭(zhēng)力在于不斷探索更快速、更高效的數(shù)據(jù)收集、存儲(chǔ)和管理方式，從而深刻地革新和提升全球溝通、學(xué)習(xí)與進(jìn)步的模式。
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