H5AN4G6NBJR-XNI是耐思特旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供H5AN4G6NBJR-XNI現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供H5AN4G6NBJR-XNI datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR4 |
| Memory Size | 4Gbit |
| Memory Organization | 256M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.6 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | 18 ns |
| Voltage - Supply | 1.14V ~ 1.26V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 96-TFBGA |
| Supplier Device Package | 96-FBGA (7.5x13) |
H5AN4G6NBJR-XNI 是由 耐思特 制造的 記憶 類電子元器件。4Gb x16 3200 DDR4 IT (-40~95C)。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR4、Memory Size: 4Gbit、Memory Organization: 256M x 16。
H5AN4G6NBJR-XNI 共有 14 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（1.6 GHz）、Access Time（18 ns）、Voltage - Supply（1.14V ~ 1.26V）、Operating Temperature（-40°C ~ 95°C (TC)） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關(guān)于 耐思特：歡迎來到耐思特（Netlist Inc.）的官方介紹。耐思特是一家專注于為全球企業(yè)級客戶提供高性能、低功耗固態(tài)硬盤（SSD）和創(chuàng)新模塊化內(nèi)存子系統(tǒng)的領(lǐng)先電子元器件品牌。作為一家深耕半導體行業(yè)的企業(yè)，耐思特致力于通過其尖端技術(shù)和優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，賦能客戶的成功，并確保其終端用戶獲得卓越的性能體驗。
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