MB85R256GPF-G-BND-ERE1是富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MB85R256GPF-G-BND-ERE1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MB85R256GPF-G-BND-ERE1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FRAM |
| Technology | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Memory Size | 256Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 150ns |
| Access Time | 150 ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | - |
| Package / Case | - |
| Supplier Device Package | - |
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 是由 富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案 制造的 記憶 類電子元器件。IC FRAM 256KBIT PARALLEL。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FRAM、Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)、Memory Size: 256Kbit。
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 共有 12 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（32K x 8）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（150ns）、Access Time（150 ns）、Voltage - Supply（2.7V ~ 3.6V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
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