MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR是美光科技旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Memory Size | 12Gbit |
| Memory Organization | 384M x 32 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 1.066 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 18ns |
| Access Time | 3.5 ns |
| Voltage - Supply | 1.06V ~ 1.17V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 200-TFBGA |
| Supplier Device Package | 200-TFBGA (10x14.5) |
MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR 是由 美光科技 制造的 記憶 類電子元器件。IC DRAM 12GBIT PAR 200TFBGA。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X、Memory Size: 12Gbit。
MT53E384M32D2FW-046 AAT:E TR 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（384M x 32）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（1.066 GHz）、Write Cycle Time - Word, Page（18ns）、Access Time（3.5 ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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