IS43R86400E-6TL是艾思科旗下的記憶 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IS43R86400E-6TL現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供IS43R86400E-6TL datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR |
| Memory Size | 512Mbit |
| Memory Organization | 64M x 8 |
| Memory Interface | SSTL_2 |
| Clock Frequency | 166 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 700 ps |
| Voltage - Supply | 2.3V ~ 2.7V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 66-TSOP II |
IS43R86400E-6TL 是由 艾思科 制造的 記憶 類電子元器件。512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz,。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR、Memory Size: 512Mbit、Memory Organization: 64M x 8。
IS43R86400E-6TL 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Interface（SSTL_2）、Clock Frequency（166 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（700 ps）、Voltage - Supply（2.3V ~ 2.7V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成電路設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和市場(chǎng)營(yíng)銷領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位的科技企業(yè)。自成立以來(lái)，艾思科始終專注于為高速增長(zhǎng)的關(guān)鍵市場(chǎng)提供高性能的**電子元器件**。其主要產(chǎn)品線圍繞兩大核心領(lǐng)域：**IC芯片**領(lǐng)域的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）。艾思科的SRAM產(chǎn)品以高速度和低功耗著稱，而其DRAM產(chǎn)品則覆蓋低密度和中等密度范圍，能夠滿足不同客戶的性能和成本需求。
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