| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR |
| Memory Size | 512Mbit |
| Memory Organization | 64M x 8 |
| Memory Interface | SSTL_2 |
| Clock Frequency | 200 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 700 ps |
| Voltage - Supply | 2.3V ~ 2.7V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 66-TSOP II |
IS43R86400E-5TL-TR 是由 艾思科 制造的 記憶 類電子元器件。512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz,。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR、Memory Size: 512Mbit。
IS43R86400E-5TL-TR 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（64M x 8）、Memory Interface（SSTL_2）、Clock Frequency（200 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（700 ps） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成電路設計、開發和市場營銷領域處于領先地位的科技企業。自成立以來，艾思科始終專注于為高速增長的關鍵市場提供高性能的**電子元器件**。其主要產品線圍繞兩大核心領域：**IC芯片**領域的SRAM（靜態隨機存取存儲器）和DRAM（動態隨機存取存儲器）。艾思科的SRAM產品以高速度和低功耗著稱，而其DRAM產品則覆蓋低密度和中等密度范圍，能夠滿足不同客戶的性能和成本需求。
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