IS46LQ32640AL-062TBLA2-TR是艾思科旗下的記憶 產品，深圳凌創輝電子有限公司提供IS46LQ32640AL-062TBLA2-TR現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IS46LQ32640AL-062TBLA2-TR datasheet數據手冊下載、規格參數查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Memory Size | 2Gbit |
| Memory Organization | 64M x 32 |
| Memory Interface | LVSTL |
| Clock Frequency | 1.6 GHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 18ns |
| Access Time | 3.5 ns |
| Voltage - Supply | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 105°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 200-TFBGA |
| Supplier Device Package | 200-TFBGA (10x14.5) |
IS46LQ32640AL-062TBLA2-TR 是由 艾思科 制造的 記憶 類電子元器件。Automotive (Tc: -40 to +105C), 2。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X、Memory Size: 2Gbit。
IS46LQ32640AL-062TBLA2-TR 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Memory Organization（64M x 32）、Memory Interface（LVSTL）、Clock Frequency（1.6 GHz）、Write Cycle Time - Word, Page（18ns）、Access Time（3.5 ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成電路設計、開發和市場營銷領域處于領先地位的科技企業。自成立以來，艾思科始終專注于為高速增長的關鍵市場提供高性能的**電子元器件**。其主要產品線圍繞兩大核心領域：**IC芯片**領域的SRAM（靜態隨機存取存儲器）和DRAM（動態隨機存取存儲器）。艾思科的SRAM產品以高速度和低功耗著稱，而其DRAM產品則覆蓋低密度和中等密度范圍，能夠滿足不同客戶的性能和成本需求。
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