GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST ED 意法半導(dǎo)體書(shū)籍、媒體
- 規(guī)格參數(shù)與選型指南
GAN POWER DEVICES AND APPLICATIONS 1ST ED 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 書(shū)籍、媒體
類電子元器件。TEXT GAN POWER DEVICES & APPS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Type: Book、Title: GaN Power Devices and Applications、Author(s): Alex Lidow、Publisher: J.Wiley。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者，始終致力于推動(dòng)電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基（eGaN?）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。
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