MLD1N06CLT4G是安森美旗下的特殊目的 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MLD1N06CLT4G現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供MLD1N06CLT4G datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp |
| Applications | General Purpose |
| Voltage - Rated | 65V |
| Current Rating (Amps) | 1A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
MLD1N06CLT4G 是由 安森美 制造的 特殊目的 類電子元器件。IC MOSFET POWER N-CH 1A 65V DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Transistor Type: NPN, N-Channel Gate-Drain, Source Clamp、Applications: General Purpose、Voltage - Rated: 65V、Current Rating (Amps): 1A、Mounting Type: Surface Mount。
MLD1N06CLT4G 共有 8 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Package / Case（TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63）、Supplier Device Package（DPAK） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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