| Product Status | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 15 mA @ 15 V |
| Current Drain (Id) - Max | - |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 3 V @ 1 nA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 25pF @ 15V |
| Resistance - RDS(On) | 100 Ohms |
| Power - Max | 500 mW |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Supplier Device Package | TO-18 |
2N5115 是由 中央半導體 制造的 JFET 類電子元器件。JFET P-CH 30V TO18。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、FET Type: P-Channel、Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15 mA @ 15 V、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 nA。
2N5115 共有 13 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（25pF @ 15V）、Resistance - RDS(On)（100 Ohms）、Power - Max（500 mW）、Operating Temperature（-65°C ~ 200°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 中央半導體：Central Semiconductor，中文名「中央半導體」，自1974年起，便致力于為全球電子產品制造創新型分立式半導體元器件。作為業界資深的電子元件制造商，中央半導體在數十年的發展歷程中，憑借其卓越的技術實力和對品質的不懈追求，贏得了廣泛的市場認可。其核心產品線涵蓋了種類繁多的電子元件，包括但不限于標準及定制化的小信號晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管，以及前沿的碳化硅（SiC）器件。這些高質量的IC芯片和分立半導體元件，是現代電子設備不可或缺的組成部分。
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