2SK3666-4-TB-E是安森美旗下的JFET 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供2SK3666-4-TB-E現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供2SK3666-4-TB-E datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 30 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 2.5 mA @ 10 V |
| Current Drain (Id) - Max | 10 mA |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 180 mV @ 1 μA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4pF @ 10V |
| Resistance - RDS(On) | 200 Ohms |
| Power - Max | 200 mW |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | SMCP |
2SK3666-4-TB-E 是由 安森美 制造的 JFET 類電子元器件。JFET N-CH 30V 10MA SMCP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5 mA @ 10 V、Current Drain (Id) - Max: 10 mA。
2SK3666-4-TB-E 共有 14 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id（180 mV @ 1 μA）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（4pF @ 10V）、Resistance - RDS(On)（200 Ohms）、Power - Max（200 mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領(lǐng)先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)者，致力于賦能客戶實(shí)現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設(shè)計(jì)工程師提供全面、領(lǐng)先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號(hào)管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應(yīng)對(duì)客戶在各種復(fù)雜設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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