BAR66E6327HTSA1是英飛凌科技旗下的射頻二極管 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供BAR66E6327HTSA1現(xiàn)貨庫存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供BAR66E6327HTSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Diode Type | PIN - 1 Pair Series Connection |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 150V |
| Current - Max | 200 mA |
| Capacitance @ Vr, F | 0.6pF @ 35V, 1MHz |
| Resistance @ If, F | 1.8Ohm @ 5mA, 100MHz |
| Power Dissipation (Max) | 250 mW |
| Operating Temperature | - |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
BAR66E6327HTSA1 是由 英飛凌科技 制造的 射頻二極管 類電子元器件。RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Diode Type: PIN - 1 Pair Series Connection、Voltage - Peak Reverse (Max): 150V、Current - Max: 200 mA、Capacitance @ Vr, F: 0.6pF @ 35V, 1MHz、Resistance @ If, F: 1.8Ohm @ 5mA, 100MHz。
BAR66E6327HTSA1 共有 9 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power Dissipation (Max)（250 mW）、Package / Case（TO-236-3, SC-59, SOT-23-3）、Supplier Device Package（PG-SOT23） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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