| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 μs |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 μA @ 400 V |
| Capacitance @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SQ-MELF |
| Supplier Device Package | - |
| Operating Temperature - Junction | - |
JANS1N5551US.TR 是由 賽美特 制造的 單二極管 類電子元器件。DIODE GEN PURP 400V 5A TR。該器件的核心參數包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V、Current - Average Rectified (Io): 5A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A、Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)。
JANS1N5551US.TR 共有 11 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Reverse Recovery Time (trr)（2 μs）、Current - Reverse Leakage @ Vr（1 μA @ 400 V）、Capacitance @ Vr, F（92pF @ 5V, 1MHz）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（SQ-MELF） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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