MBR20100CT-G1是德利通旗下的二極管陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MBR20100CT-G1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MBR20100CT-G1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 840 mV @ 10 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 μA @ 100 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
MBR20100CT-G1 是由 德利通 制造的 二極管陣列 類電子元器件。DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO220AB。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 10 A。
MBR20100CT-G1 共有 12 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（50 μA @ 100 V）、Operating Temperature - Junction（-55°C ~ 175°C）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-220-3） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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