| Product Status | Obsolete |
| Sensing Distance | 0.236" (6mm) |
| Sensing Method | Reflective |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 30 mA |
| Output Type | Phototransistor |
| Response Time | 10μs |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | Module |
RPR-220C1N 是由 羅姆半導體 制造的 反射式 - 模擬輸出 類電子元器件。IC PHOTOSENSOR REFL DIP。該器件的核心參數包括：Product Status: Obsolete、Sensing Distance: 0.236" (6mm)、Sensing Method: Reflective、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V、Current - Collector (Ic) (Max): 30 mA、Current - DC Forward (If) (Max): 30 mA。
RPR-220C1N 共有 10 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Output Type（Phototransistor）、Response Time（10μs）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（Module） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 羅姆半導體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應用于不斷發展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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