| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 4A |
| Power - Max | 36.6 W |
| Switching Energy | 100μJ (on), 40μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 24 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 4ns/90ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 49Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
IKD04N60RC2ATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IKD04N60RC2ATMA1。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 4A。
IKD04N60RC2ATMA1 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（36.6 W）、Switching Energy（100μJ (on), 40μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（24 nC）、Td (on/off) @ 25°C（4ns/90ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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