| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 115 W |
| Switching Energy | 83μJ (on), 140μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 57 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 19.5ns/103ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 107 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
STGB10H60DF 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 20A 115W D2PAK。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 10A。
STGB10H60DF 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（115 W）、Switching Energy（83μJ (on), 140μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（57 nC）、Td (on/off) @ 25°C（19.5ns/103ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統方面的專業知識、制造實力、知識產權（IP）組合以及戰略合作伙伴關系，使其在系統級芯片（SoC）技術的前沿占據領先地位，其產品在推動當今的融合趨勢中發揮著關鍵作用。
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