| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 270 W |
| Switching Energy | 1.23mJ (on), 740μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 120 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/139ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 8.2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
IGB50N65S5ATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO263-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A。
IGB50N65S5ATMA1 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（270 W）、Switching Energy（1.23mJ (on), 740μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（120 nC）、Td (on/off) @ 25°C（20ns/139ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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