| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 240 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A |
| Power - Max | 375 W |
| Switching Energy | 1.09mJ (on), 626μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 306 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 51ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3P |
STGWT60H65DFB 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A。
STGWT60H65DFB 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（375 W）、Switching Energy（1.09mJ (on), 626μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（306 nC）、Td (on/off) @ 25°C（51ns/160ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統方面的專業知識、制造實力、知識產權（IP）組合以及戰略合作伙伴關系，使其在系統級芯片（SoC）技術的前沿占據領先地位，其產品在推動當今的融合趨勢中發揮著關鍵作用。
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