AIGB15N65F5ATMA1是英飛凌科技旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供AIGB15N65F5ATMA1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供AIGB15N65F5ATMA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 15 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3-2 |
AIGB15N65F5ATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。DISCRETE SWITCHES。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 15 A、Input Type: Standard、Mounting Type: Surface Mount。
AIGB15N65F5ATMA1 共有 8 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Package / Case（TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB）、Supplier Device Package（PG-TO263-3-2） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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