| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | NPT and Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 25A |
| Power - Max | 231 W |
| Switching Energy | 800μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 147 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
IHW25N120E1XKSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247。該器件的核心參數包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: NPT and Trench、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A。
IHW25N120E1XKSA1 共有 14 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（231 W）、Switching Energy（800μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（147 nC）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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