| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 6A |
| Power - Max | 7.2 W |
| Switching Energy | 151μJ (on), 104μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 31 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 8.8ns/174ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 49Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
IKN06N60RC2ATMA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A、Power - Max: 7.2 W。
IKN06N60RC2ATMA1 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Switching Energy（151μJ (on), 104μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（31 nC）、Td (on/off) @ 25°C（8.8ns/174ns）、Test Condition（400V, 6A, 49Ohm, 15V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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