| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 330 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 240 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | -/350ns |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
IHW30N110R5XKSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT TRENCH。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 30A、Power - Max: 330 W、Input Type: Standard。
IHW30N110R5XKSA1 共有 12 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Gate Charge（240 nC）、Td (on/off) @ 25°C（-/350ns）、Operating Temperature（-40°C ~ 175°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole）、Package / Case（TO-247-3） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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