HGT1S7N60C3D是仙童半導(dǎo)體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供HGT1S7N60C3D現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供HGT1S7N60C3D datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Power - Max | 60 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 38 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
HGT1S7N60C3D 是由 仙童半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 14 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A、Power - Max: 60 W。
HGT1S7N60C3D 共有 13 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Input Type（Standard）、Gate Charge（38 nC）、Reverse Recovery Time (trr)（25 ns）、Operating Temperature（-40°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 仙童半導(dǎo)體：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半導(dǎo)體”，是全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，以其在功率半導(dǎo)體和模擬集成電路領(lǐng)域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來，仙童半導(dǎo)體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件，成為眾多行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產(chǎn)品類別廣泛，涵蓋了功率器件（如MOSFET、IGBT、二極管）、模擬IC（如運算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、電源管理IC）、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的基礎(chǔ)。
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