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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A |
| Power - Max | 60 W |
| Switching Energy | 165μJ (on), 600μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 23 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
HGTD7N60C3S9A 是由 仙童半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 14 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A、Power - Max: 60 W。
HGTD7N60C3S9A 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(165μJ (on), 600μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(23 nC)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 仙童半導(dǎo)體:Fairchild Semiconductor,中文名“仙童半導(dǎo)體”,是全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,以其在功率半導(dǎo)體和模擬集成電路領(lǐng)域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來,仙童半導(dǎo)體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件,成為眾多行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產(chǎn)品類別廣泛,涵蓋了功率器件(如MOSFET、IGBT、二極管)、模擬IC(如運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、電源管理IC)、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的基礎(chǔ)。
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