| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 150 W |
| Switching Energy | 180μJ (on), 130μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 24 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/91ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 262 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
AOT10B65M1 是由 萬國半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 10A TO220。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A、Power - Max: 150 W。
AOT10B65M1 共有 16 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Switching Energy（180μJ (on), 130μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（24 nC）、Td (on/off) @ 25°C（12ns/91ns）、Test Condition（400V, 10A, 30Ohm, 15V） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 萬國半導體：**萬國半導體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應用的功率半導體先驅**
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