MIW50N65F-BP是微電子元件公司旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供MIW50N65F-BP現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供MIW50N65F-BP datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 326 W |
| Switching Energy | 1.27mJ (on), 650μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 450 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 55ns/319ns |
| Test Condition | 300V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
MIW50N65F-BP 是由 微電子元件公司 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 40A TO-247。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 85 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 50A。
MIW50N65F-BP 共有 16 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（326 W）、Switching Energy（1.27mJ (on), 650μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（450 nC）、Td (on/off) @ 25°C（55ns/319ns） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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