| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 106 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 694 W |
| Switching Energy | 3585μJ (on), 1910μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 240 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/215ns |
| Test Condition | 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | - |
APT50GT120B2RDLG 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 106A 694W TO-247。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 106 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A。
APT50GT120B2RDLG 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（694 W）、Switching Energy（3585μJ (on), 1910μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（240 nC）、Td (on/off) @ 25°C（23ns/215ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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