| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 15 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 5A |
| Power - Max | 73.5 W |
| Switching Energy | 80μJ (on), 70μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 12.1 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 5.4ns/25.4ns |
| Test Condition | 400V, 5A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D2PAK) |
FGB5N60UNDF 是由 仙童半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 10 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A。
FGB5N60UNDF 共有 17 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Power - Max（73.5 W）、Switching Energy（80μJ (on), 70μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（12.1 nC）、Td (on/off) @ 25°C（5.4ns/25.4ns） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 仙童半導體：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半導體”，是全球知名的半導體解決方案供應商，以其在功率半導體和模擬集成電路領域的深厚積淀而聞名。自創立以來，仙童半導體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件，成為眾多行業領先企業信賴的合作伙伴。其主營產品類別廣泛，涵蓋了功率器件（如MOSFET、IGBT、二極管）、模擬IC（如運算放大器、數據轉換器、電源管理IC）、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現代電子設備不可或缺的基礎。
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