FGB20N60SFD-F085是仙童半導體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FGB20N60SFD-F085現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FGB20N60SFD-F085 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.85V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 208 W |
| Switching Energy | 310μJ (on), 130μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 63 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 10ns/90ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 111 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
FGB20N60SFD-F085 是由 仙童半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 20A。
FGB20N60SFD-F085 共有 17 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（208 W）、Switching Energy（310μJ (on), 130μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（63 nC）、Td (on/off) @ 25°C（10ns/90ns） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 仙童半導體：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半導體”，是全球知名的半導體解決方案供應(yīng)商，以其在功率半導體和模擬集成電路領(lǐng)域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來，仙童半導體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件，成為眾多行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產(chǎn)品類別廣泛，涵蓋了功率器件（如MOSFET、IGBT、二極管）、模擬IC（如運算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、電源管理IC）、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的基礎(chǔ)。
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