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| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Cascode SiCJFET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 47A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 35A, 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 12 V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D2Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
UF3SC120040B7S 是由 科沃 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V。
UF3SC120040B7S 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(45mOhm @ 35A, 12V)、Vgs(th) (Max) @ Id(6V @ 10mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(43 nC @ 12 V)、Vgs (Max)(±25V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1500 pF @ 100 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū),獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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