| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 118mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 421 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 610mW (Ta), 10W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
BSH205G2AR 是由 Nexperia 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 20V 2.6A TO236AB。該器件的核心參數包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 2.6A, 4.5V。
BSH205G2AR 共有 15 項技術參數，涵蓋電氣特性、機械特性和環境特性等方面。其他規格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id（900mV @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7 nC @ 4.5 V）、Vgs (Max)（±8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（421 pF @ 10 V）、Power Dissipation (Max)（610mW (Ta), 10W (Tc)） 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球領先的、專注于大批量生產關鍵半導體的專家。作為電子元器件領域不可或缺的組成部分，Nexperia提供的各類電子元件是每一項電子設計得以實現的基礎。公司擁有豐富的產品組合，涵蓋了二極管、雙極晶體管、ESD（靜電放電）保護器件、MOSFETs、GaN（氮化鎵）FETs以及模擬與邏輯IC芯片等核心電子產品。
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